Publicación: Correlación entre las propiedades estructurales y ópticas del óxido de zinc nanoestructurado dopado con cobalto
dc.contributor.advisor | Beltrán Jiménez, Jailes Joaquín | |
dc.contributor.author | Flórez Galván, Luis Alfonso | |
dc.date.accessioned | 2020-12-22T15:02:34Z | |
dc.date.available | 2020-12-22T15:02:34Z | |
dc.date.issued | 2020-12-18 | |
dc.description.abstract | El óxido de zinc es un material semiconductor tipo II-VI transparente en la región UV visible, con una banda prohibida de 3.37 eV a temperatura ambiente y una alta energía de enlace de excitones, 60 meV y otras importantes propiedades físico-químicas. Estas propiedades son el resultado de su poca simetría en su forma cristalina wurtzita y de su gran acoplamiento electromecánico, llegando a ser considerado en la actualidad un material optoelectrónico con cualidades muy promisorias para utilizarse en numerosas aplicaciones tecnológicas como, sensor de gases, varistores, lásers ultravioleta y visible, y componentes de celdas solares. La introducción de impurezas en la red cristalina del ZnO (dopaje) puede modificar sus propiedades estructurales y ópticas ampliando su rango de posibles aplicaciones. El principal objetivo de este trabajo es estudiar la variación de las propiedades estructurales y ópticas del ZnO dopado con Co (Zn1-xCoxO), para valores nominales de 0, 0.01, 0.03, 0.05 y encontrar alguna correlación entre ellas. Las muestras fueron sintetizadas por el método sol-gel modificado basado en la ruta del citrato y caracterizadas mediante análisis termogravimétrico, difracción de rayos X y espectroscopia UV-VIS-Reflectancia difusa. La temperatura mínima de descomposición y cristalización de los precursores poliméricos para la formación de ZnO y ZnO dopado con Co fue de 450 °C. Los parámetros a y c aumentaron con el contenido de Co, muy probablemente, debido a la presencia de iones Co2+ y Co3+ ocupando posiciones intersticiales, mientras el valor de la relación c/a encontrado podría indicar la presencia de vacancias de oxígeno en todas las muestras. El tamaño de cristalito disminuyó hasta una concentración de Co del 3% e incrementó cuando la concentración de Co fue igual al 5%. La brecha de banda mostró una disminución a medida que aumento la concentración de Co lo cual fue atribuido principalmente a las interacciones de intercambio entre los orbitales d correspondientes a los iones Co2+ y los orbitales s y p del ZnO, a la formación de vacancias de oxígeno y al incremento en el grado de distorsión de la celda unitaria. Por último, La banda prohibida (Eg) del ZnO disminuyo a medida que aumento el volumen de celda, el grado de distorsión de la celda y a medida que disminuyo la relación c/a. | spa |
dc.description.degreelevel | Pregrado | spa |
dc.description.degreename | Químico(a) | spa |
dc.description.modality | Trabajos de Investigación y/o Extensión | spa |
dc.description.tableofcontents | Resumen ............................................................................................................................ i | spa |
dc.description.tableofcontents | Introducción ..................................................................................................................... 1 | spa |
dc.description.tableofcontents | Objetivos .......................................................................................................................... 2 | spa |
dc.description.tableofcontents | Capítulo 1 ......................................................................................................................... 3 | spa |
dc.description.tableofcontents | Aspectos teóricos ............................................................................................................... 3 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.1 Teoría de bandas. ......................................................................................................... 3 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.2 Semiconductores ...................................................................................................... 5 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.2.1 Clases de semiconductores ................................................................................ 6 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.2.1.1 Semiconductores intrínsecos o elementales. .................................................... 6 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.2.1.2 Semiconductores extrínsecos. ......................................................................... 6 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.2.1.2.1 Semiconductores tipo n ............................................................................. 7 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.2.1.2.2 Semiconductores tipo p ............................................................................. 8 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.3 Óxido de zinc ........................................................................................................... 9 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.3.1 Propiedades estructurales y cristalográficas ..................................................... 10 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.4 Óxido de zinc dopado con cobalto .......................................................................... 11 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.5 Método sol-gel ....................................................................................................... 14 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.5.1 Método sol-gel vía citrato ................................................................................ 15 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.6 Técnicas de caracterización .................................................................................... 16 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.6.1 Análisis termogravimétrico (TGA) .................................................................. 16 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.6.2 Difracción de rayos X (DRX). ......................................................................... 18 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.6.2.1 Ley de Bragg. ............................................................................................ 19 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.6.2.1 Ley de Bragg. ............................................................................................ 19 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.6.3 UV-VIS-Reflectancia difusa (DR). .................................................................. 23 | spa |
dc.description.tableofcontents | 1.6.3 UV-VIS-Reflectancia difusa (DR). .................................................................. 23 | spa |
dc.description.tableofcontents | Capítulo 2 ....................................................................................................................... 26 | spa |
dc.description.tableofcontents | Procedimiento experimental ............................................................................................. 26 | spa |
dc.description.tableofcontents | 2.1 Procedimiento ........................................................................................................ 28 | spa |
dc.description.tableofcontents | 2.2 Caracterización de las muestras .............................................................................. 31 | spa |
dc.description.tableofcontents | 2.2.1 Análisis termogravimétrico (TGA) .................................................................. 31 | spa |
dc.description.tableofcontents | 2.2.2 Difracción de rayos X (DRX) .......................................................................... 31 | spa |
dc.description.tableofcontents | 2.2.3 Espectroscopia UV-VIS con reflectancia difusa ............................................... 33 | spa |
dc.description.tableofcontents | Capítulo 3 ....................................................................................................................... 34 | spa |
dc.description.tableofcontents | Caracterización de las muestras ........................................................................................ 34 | spa |
dc.description.tableofcontents | 3.1 Análisis termogravimétrico (TGA) ......................................................................... 34 | spa |
dc.description.tableofcontents | 3.2 Difracción de rayos x ............................................................................................. 40 | spa |
dc.description.tableofcontents | 3.2.1. Identificación de fases .................................................................................... 40 | spa |
dc.description.tableofcontents | 3.2.2. Parámetros cristalográficos ............................................................................. 44 | spa |
dc.description.tableofcontents | 3.2.3. Tamaño del cristalito ...................................................................................... 48 | spa |
dc.description.tableofcontents | 3.3 Espectroscopia UV-VIS-reflectancia difusa ............................................................ 50 | spa |
dc.description.tableofcontents | 3.3.1 Determinación de la banda prohibida (Eg) ........................................................ 54 | spa |
dc.description.tableofcontents | Capítulo 4 ....................................................................................................................... 58 | spa |
dc.description.tableofcontents | Conclusiones ................................................................................................................ 58 | spa |
dc.description.tableofcontents | Referencias ..................................................................................................................... 59 | spa |
dc.format.mimetype | application/pdf | spa |
dc.identifier.uri | https://repositorio.unicordoba.edu.co/handle/ucordoba/3837 | |
dc.language.iso | spa | spa |
dc.publisher.faculty | Facultad de Ciencias Básicas | spa |
dc.publisher.place | Montería, Córdoba, Colombia | spa |
dc.publisher.program | Química | spa |
dc.rights | Copyright Universidad de Córdoba, 2020 | spa |
dc.rights.accessrights | info:eu-repo/semantics/openAccess | spa |
dc.rights.creativecommons | Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0) | spa |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | spa |
dc.subject.keywords | Band gap | eng |
dc.subject.keywords | Doping | eng |
dc.subject.keywords | Optoelectronic | eng |
dc.subject.proposal | Semiconductor | spa |
dc.subject.proposal | Banda prohibida | spa |
dc.subject.proposal | Optoelectrónico | spa |
dc.title | Correlación entre las propiedades estructurales y ópticas del óxido de zinc nanoestructurado dopado con cobalto | spa |
dc.type | Trabajo de grado - Pregrado | spa |
dc.type.coar | http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f | spa |
dc.type.content | Text | spa |
dc.type.driver | info:eu-repo/semantics/bachelorThesis | spa |
dc.type.redcol | https://purl.org/redcol/resource_type/TP | spa |
dc.type.version | info:eu-repo/semantics/submittedVersion | spa |
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