Publicación: Resonancia ferromagnética en películas delgadas de ferritas 〖Ni〗_(0.5) 〖Zn〗_(0.5) 〖Fe〗_2 O_4: una evaluación de sus parámetros
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Resumen en español
En este trabajo de investigación se realizó un estudio de resonancia ferromagnética (RFM), estructural y composicional en películas delgadas de ferrita Ni0.5Zn0.5F2O4 (Ni-Zn) crecidas en tres sustratos monocristalinos (MgO(100), Mg〖Al〗_2 O_4 (100) y SrTiO_3 (100)) utilizando la técnica sputtering RF con magnetrón. Mediante perfilómetria se midieron los espesores de las películas con valores de 60 nm. Los resultados de espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS) reveló la presencia de iones metálicos en su valencia adecuada en la estructura cristalina de la ferrita Ni-Zn. La variación de la energía de enlace de las muestras crecidas en diferentes sustratos se atribuye a los cambios en el entorno de Fe3+ y Zn2+ o Ni2+, debido a la distribución no equilibrada de los cationes en sitios tetraédricos y octaédricos. Este análisis permitió evidenciar que las películas de Ni-Zn forman una estructura tipo espinela mixta, asociada a la distribución catiónica en la estructura cristalina. Posteriormente se realizaron medidas de XRD, identificandose reflexiones características de la estructura de ferrita Ni-Zn, indicando la formación única de dicha ferrita, sin fases secundarias. Los análisis de resonancia ferromagnética se hicieron a través de la implementación y calibración de un equipo de resonancia ferromagnética de banda ancha; obteniendo una serie de espectros RFM en cada una de las muestras, con una variación en el campo de resonancia (H_R) y los anchos de las líneas de resonancia (∆H). Estos espectros se obtuvieron a una frecuencia de 4 GHz y potencia 12 dBm, presentado señales RFM en tres rotaciones (ángulos) de la muestra respecto a la línea de transmisión. Finalmente, a partir del análisis de las curvas MvsH se determinó una magnetización de saturación de 155 emu/cm3 (2,86 μ_B⁄celda) en las películas Ni-Zn/ Mg〖Al〗_2 O_4 y 381.3 emu⁄〖cm〗^3 (7,05 μ_B⁄celda) para Ni-Zn/MgO; además una coercitividad de 226,2±5,2 Oe y 513±32 Oe para Mg〖Al〗_2 O_4 y MgO, respectivamente. El comportamiento de estas películas pueden ser posibles candidatos para aplicaciones en dispositivos espintrónicos en circuitos integrados magnéticos.