Examinando por Materia "Magnetizacion"

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    PublicaciónAcceso abierto
    Codopado estratégico para incrementar el magnetismo en la monocapa de nitruro aluminio hexagonal
    (Universidad de Córdoba, 2024-08-14) Pérez Rossi, Kevin David; Ortega López, Cesar; Espriella Vélez, Nicolás De la; Murillo García, Jean Fred; Meléndez Martínez, Raul Francisco; Lara Martínez, Ronald Steven; Arteaga Calderón, Mario
    En este trabajo, se hace un estudio sobre los co-dopados con manganeso (Mn) y oxigeno (O) en la monocapa AlN hexagonal planar, en la geometría 4x4 (h-4x4-AlN (0001)). Los cálculos se ejecutan usando la Teoría del Funcional de la Densidad junto con pseudopotenciales atómicos y una base de ondas planas. La monocapa se modela usando el esquema del slab periódico. Aquí, se hacen, por separado, dos co-sustituciones de los átomos Al y N por Mn y O, respectivamente. En el primer caso, los átomos sustitutos, se colocan a una distancia lo suficiente grande de modo que las impurezas, no interactúen, es decir no forman la molécula Mn-O. En el segundo caso, los átomos sustitutos, se colocan a una distancia lo suficiente pequeña de modo que las impurezas, interactúen, es decir se forma la molécula Mn-O. Se encuentra que las propiedades estructurales de la monocapa con impurezas, no interactuantes, no cambian significativamente, con respecto a la monocapa prístina, mientras que, en el caso de las impurezas, interactuantes, sí cambian significativamente, con respecto a la monocapa prístina. En particular, la distancia optima entre las impurezas interactuantes del par atómico, es ≈2.4 Å, mientras que la longitud de enlace del par atómico, en las impurezas, no interactuantes, es ≈2.1 Å. En todos los casos, se establece la estabilidad termodinámica y analizan las propiedades electrónicas de la monocapa h-AlN con y sin impurezas de Mn y O, a través de cálculos de la energía de formación y DOS/carga Löwdin , respectivamente. En ambos casos, pares atómicos (Mn y O) interactuantes y no interactuantes, la monocapa presenta propiedades magnéticas, con una magnetización total de 5.0 μ_0/cell y 4.9 μ_0/cell, respectivamente. De estos resultados, se infiere que, en el caso en el que las impurezas interactúan, la magnetización en la monocapa AlN codopada, se incrementa significativamente, con respecto al caso en que las co-impurezas, no interactúan.
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    PublicaciónAcceso abierto
    Sustituciones de aluminio y nitrógeno por oxígeno y manganeso en la monocapa nitruro de aluminio (ALN).
    (Universidad de Córdoba, 2025-01-30) Gamboa Ruiz, William Alexander; Casiano Jimenez, Gladys Rocio; Ortega López, César; Alcalá Varilla, Luis Arturo
    El trabajo estudia cómo la sustitución de aluminio (Al) por manganeso (Mn) y de nitrógeno (N) por oxígeno (O) afecta las propiedades de una monocapa de AlN (h-AlN) en una estructura hexagonal plana. Se realizan cálculos utilizando la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT) para analizar las propiedades estructurales y energéticas de la monocapa prístina y dopada. Los resultados indican que las sustituciones son exotérmicas y termodinámicamente estables. En términos de propiedades electrónicas, la monocapa original de AlN es un semiconductor, pero al sustituir N por O se convierte en un material metálico sin propiedades magnéticas. Sin embargo, al reemplazar Al por Mn, la monocapa se convierte en un semimetálico con propiedades magnéticas, lo que podría ser útil para aplicaciones en espintrónica.